Samsung และ SK Hynix เร่งอัปเกรดโรงงานผลิตชิปในจีน หวังรับมือคู่แข่งและดีมานด์ AI
ยักษ์ใหญ่ชิปเกาหลีใต้เดินหน้ายกระดับเทคโนโลยีการผลิตชิป NAND ในจีนให้ทันสมัยขึ้น แม้จะเผชิญข้อจำกัดด้านการส่งออกของสหรัฐฯ
สรุปข่าว
Samsung Electronics และ SK Hynix กำลังเร่งอัปเกรดโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำประเภท NAND ในประเทศจีน เพื่อเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันกับคู่แข่งท้องถิ่นอย่าง Yangtze Memory Technologies Co (YMTC) และรองรับความต้องการชิปสำหรับศูนย์ข้อมูล AI ที่พุ่งสูงขึ้น
การปรับปรุงเทคโนโลยีครั้งนี้มุ่งเน้นไปที่การเพิ่มจำนวนเลเยอร์ของชิปให้สูงขึ้น เพื่อเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลและลดต้นทุนการผลิต โดยบริษัททั้งสองยืนยันว่าการดำเนินการดังกล่าวเป็นไปตามกฎระเบียบการส่งออกของสหรัฐฯ และมีการหารือร่วมกับทางการวอชิงตันอย่างใกล้ชิด
รายละเอียดแผนการผลิต
Samsung กำลังเปลี่ยนโรงงานในเมืองซีอานให้ผลิตชิป V9 NAND ขนาด 286 เลเยอร์ โดยตั้งเป้ากำลังการผลิตไว้ที่ 5,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปีนี้ และจะเพิ่มเป็น 40,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในปี 2027
ในขณะที่ SK Hynix มีแผนปรับเปลี่ยนโรงงานในเมืองต้าเหลียนให้ผลิตชิป NAND ที่มีความสูงตั้งแต่ 240 เลเยอร์ขึ้นไป จากเดิมที่ผลิตระดับ 192 เลเยอร์ เพื่อรักษาฐานตลาดและเตรียมความพร้อมสำหรับการพัฒนาเทคโนโลยีขั้นสูงต่อไปในอนาคต
ความท้าทายจากกฎระเบียบสหรัฐฯ
บริษัทชิปจากเกาหลีใต้ต้องเผชิญกับความยากลำบากในการลงทุนในจีน เนื่องจากสหรัฐฯ มีมาตรการควบคุมการส่งออกอุปกรณ์ผลิตชิปตั้งแต่ปี 2022 เพื่อชะลอความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีของจีน
แม้กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ จะระบุว่ามีนโยบายไม่อนุญาตให้ขยายขีดความสามารถหรืออัปเกรดเทคโนโลยีในโรงงานต่างชาติในจีน แต่บริษัททั้งสองยังคงพยายามเจรจาเพื่อขอใบอนุญาตสำหรับการอัปเกรดที่จำเป็น เพื่อไม่ให้สูญเสียส่วนแบ่งตลาดให้กับคู่แข่งในจีนที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว
ผลกระทบ เป็นกลาง
แม้การอัปเกรดจะช่วยรักษาความสามารถในการแข่งขันและส่วนแบ่งตลาดในระยะยาว แต่บริษัทยังคงมีความเสี่ยงด้านภูมิรัฐศาสตร์และกฎระเบียบจากสหรัฐฯ ที่อาจส่งผลกระทบต่อแผนการผลิตในจีนได้ทุกเมื่อ
สิ่งที่ต้องติดตาม
- ความคืบหน้าการอนุมัติใบอนุญาตส่งออกอุปกรณ์จากสหรัฐฯ
- ส่วนแบ่งตลาด NAND ของ Samsung และ SK Hynix เทียบกับ YMTC
หุ้นที่เกี่ยวข้อง
เรียบเรียงเป็นภาษาไทยโดยกองบรรณาธิการ ข้อมูลนี้ไม่ใช่คำแนะนำการลงทุน